Память с использованием 48-слойных микросхем компания планирует начать выпускать в 2016 году .
На прошлой неделе на очередной квартальной конференции, посвящённой работе во втором квартале календарного 2015 года, компания SK Hynix подтвердила, что в третьем квартале состоится запуск в производство первой серийной 3D NAND флэш-памяти компании. Это будут 36-слойные 128-Гбит чипы с MLC-ячейкой (в ячейке будет храниться два бита данных). Память с трёхбитовой TLC-ячейкой компания планирует начать выпускать в 2016 году с использованием 48-слойных микросхем. Судя по всему, это будут 256-Гбит чипы 3D NAND.
В настоящий момент память типа 3D NAND массово выпускает только компания Samsung. Это второе поколение 3D V-NAND с MLC- и TLC-ячейками. Что интересно, во всех случаях компания Samsung выпускает 32-слойные микросхемы одной ёмкости — 128 Гбит. Благодаря этому она делает ставку на снижение площади кристалла и на уменьшение себестоимости решений.
Компании Intel и Micron в четвёртом квартале 2015 года приступят к выпуску 32-слойной 256-Гбит памяти MLC и 384-Гбит памяти TLC. Они будут делать ставку на объём отдельных решений и сэкономят на количестве устанавливаемых в SSD чипов флэш-памяти. Позже всех к производству 3D NAND приступит компания Toshiba, которая в первой половине 2016 года собирается выпускать 48-слойную память MLC ёмкостью 128 Гбит.
Источник: EE Times